我們都知道UVCLED在市面上是很廣泛的，但是可能對于絕大部分的使用者來說不知道其背后有哪些技術原理，今天日益興小編就來給大家簡單剖析一下吧！

1.芯片：倒裝芯片是目前UVC芯片的主流，但不一定是最佳結(jié)構。垂直芯片也有其獨特的優(yōu)勢，如更好的電流傳輸、更少的光吸收和更好的散熱。然而，由于氮化鋁是主要材料，需要長波長高能準分子激光將其從藍寶石襯底上剝離，這將對外延材料造成嚴重損壞。因此，目前只有l(wèi)git能夠?qū)崿F(xiàn)垂直結(jié)構UVC led的批量生產(chǎn)。如果能找到一種經(jīng)濟簡單的剝離方法，垂直結(jié)構將有機會成為大功率UVC led的主流。

2.封裝：主要考慮UVC led的散熱和發(fā)光。在材料方面，經(jīng)過多年的發(fā)展，市場上的UVC led基本上都是倒裝芯片，使用高導熱性的氮化鋁基板。

3.使用壽命：UVC LED工作時間長，會因光衰減而導致老化，尤其是大功率UVC LED，光衰減問題更為嚴重。在測量UVC led的壽命時，僅將燈損壞視為UVC led壽命的終點是不夠的。LED的壽命應由UVC LED的光衰減百分比決定。

4.發(fā)光效率：一般指UVC led的外部量子效率（EQE），是器件內(nèi)部量子效率和提取效率的乘積。內(nèi)部效率（IQE）主要與器件本身的特性（如器件材料的能帶、缺陷和雜質(zhì)）、外延晶片材料和結(jié)構有關。

設備的提取效率是指在設備內(nèi)部產(chǎn)生的光子被設備本身吸收、折射和反射后，可以在設備外部測量的數(shù)據(jù)。因此，影響提取效率的因素包括吸收、散射、器件材料本身的結(jié)構以及封裝材料的折射率差。

內(nèi)部效率（IQE）：主要與器件本身的特性有關，如能帶、缺陷、雜質(zhì)、外延晶片材料、結(jié)構等。

提取效率：設備內(nèi)部產(chǎn)生的光子被設備本身吸收、折射和反射后，設備外部的實際可測量光子數(shù)；

外部量子效率（EQE）：器件的內(nèi)部量子效率和提取效率的乘積；

電光轉(zhuǎn)換效率（WPE）：當最終產(chǎn)品通電時，有多少電能轉(zhuǎn)換為光能。考慮到輸入功率、EQE和芯片條件，它是評估發(fā)光效率的重要指標。

以上給大家介紹的就是UVCLED背后的操作原理，如果你還有不懂的話，歡迎隨時聯(lián)系我們。